خوش آمدید

جستجو

تبلیغات





Wide-Band Steady-State Numerical Model and Parameter Extraction of a Tensile-Strained Bulk Semicondu

    Michael J. Connelly, Member, IEEE

     

    bulk InGaAsP semiconductor optical amplifier is described. An
    efficient numerical algorithm of the steady-state model and a parameter
    extraction algorithm based on the Levenberg–Marquardt
    method are described. The parameter extraction technique is used
    to determine the material Auger recombination coefficient, effective
    intraband lifetime, the average strain and molar fraction of
    Arsenic in the active region. Simulations and comparisons with experiment
    are given which demonstrate the accuracy and versatility
    of the model.
    Index Terms—Modeling, parameter extraction, semiconductor
    optical amplifier, tensile-strained bulk material.

     

     


    این مطلب تا کنون 19 بار بازدید شده است.
    منبع
    برچسب ها : parameter extraction ,
    Wide-Band Steady-State Numerical Model and Parameter Extraction of a Tensile-Strained Bulk Semicondu

تبلیغات


    محل نمایش تبلیغات شما

پربازدیدترین مطالب

آمار

تبلیغات

محل نمایش تبلیغات شما

تبلیغات

محل نمایش تبلیغات شما

آخرین کلمات جستجو شده