تمامی مطالب مطابق قوانین جمهوری اسلامی ایران میباشد.درصورت مغایرت از گزارش پست استفاده کنید.

جستجو

کانال خرید و فروش پرنده

Band-Structure Engineering in Strained Semiconductor Lasers

    It can also decrease the density of
    states at the valence band maximum and so reduce the carrier
    density required to reach threshold. In 1. O’Reilly and Alfred R. These two effects appear
    to adequately explain the TE and TM gain in compressive and
    tensile structures, including polarization-independent amplifiers,
    the behavior of visible lasers and the improved frequency characteristics
    of InGaAdGaAs lasers.

    Eoin P. Adams, Member, IEEE

    --------------------------

    Abstract-The influence of both compressive and tensile strain
    on semiconductor lasers and optical amplifiers is reevaluated
    in the light of recent experimental and theoretical work.5 pm InGaAsP/InP lasers
    phonon-assisted Auger recombination appears to remain the
    dominant current path and can explain why the temperature
    sensitivity parameter TO remains

     

     

    . Strain
    reduces the three-dimensional symmetry of the lattice and helps
    match the wave functions of the holes to the one-dimensional
    symmetry of the laser beam
    این مطلب تا کنون 74 بار بازدید شده است.
    ارسال شده در تاریخ شنبه 30 مرداد 1395 [ گزارش پست ]
    منبع
    برچسب ها : ,

آمار امروز پنجشنبه 2 آذر 1396

  • تعداد وبلاگ :55488
  • تعداد مطالب :174600
  • بازدید امروز :355513
  • بازدید داخلی :18919
  • کاربران حاضر :221
  • رباتهای جستجوگر:132
  • همه حاضرین :353

تگ های برتر